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      IRFP4227PBF現貨參數應用及PDF資料下載

      作者:海飛樂技術 時間:2021-01-20 17:28

      IRFP4227PBF應用
        IRFP4227PBF是HEXFET功率MOSFET,專門為等離子體顯示面板中的持續能量恢復通過開關應用而設計的。采用最新的處理技術,以實現每硅面積的低導通電阻和低脈沖額定值。具有175℃的工作結溫度和高重復峰值電流能力。這些特性結合在一起,使這種MOSFET成為PDP驅動應用中高效、耐用、可靠的器件。

      IRFP4227PBF特性
      先進工藝技術
      為PDP維持優化的關鍵參數,
      能量回收和通路開關應用
      低脈沖額定值以降低功率
      PDP維持、能量回收和通過開關應用中的耗散
      低QG快速響應
      高重復峰值電流能力,運行可靠
      快速切換,下降和上升時間短
      175℃工作結溫度,提高耐用性
      重復雪崩能力,魯棒性和可靠性
      D類音頻放大器300W-500W(半橋)
       
      IRFP4227PBF基本參數
      制造商:Infineon
      產品種類:MOSFET
      RoHS: 符合
      技術:Si
      安裝風格:Through Hole
      封裝/箱體:TO-247-3
      晶體管極性:N-Channel
      通道數量:1 Channel
      Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
      Id-連續漏極電流:65 A
      Rds On-漏源導通電阻:25 mOhms
      Vgs - 柵極-源極電壓:±30 V
      Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V
      Qg-柵極電荷:70 nC
      工作溫度范圍:- 40℃~+ 175℃
      Pd-功率耗散:330 W
      尺寸大小:20.7 mm×15.87 mm×5.31 mm
      正向跨導-最小值:49 S
      下降時間:31 ns
      上升時間:20 ns
      典型關閉延遲時間:21 ns
      典型接通延遲時間:33 ns
      單位重量:38 g
       
      IRFP4227PBF電力特性

      IRFP4227PBF電力特性 
       
      IRFP4227PBF特性曲線圖
      IRFP4227PBF特性曲線圖 
       
       
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